Транзистор КТ3102 — эпитаксиально-планарный, n-p-n структуры, кремниевый, универсальный. Применяется в НЧ устройствах, требовательных к уровню шумов, а также в генераторных и усилительных СЧ и ВЧ устройствах. Является комплементарным по отношению к транзистору КТ3107 КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3102Е выпускаются в металлическом корпусе. КТ3102АМ, КТ3102БМ, КТ3102ВМ, КТ3102ГМ, КТ3102ДМ, КТ3102ЕМ выпускаются в пластмассовом корпусе. Выводы — гибкие.
Маркируются транзисторы следующим образом: КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3102Е
на боковой поверхности корпуса непосредственно надписью, КТ3102АМ, КТ3102БМ, КТ3102ВМ, КТ3102ГМ, КТ3102ДМ, КТ3102ЕМ там же надписью, но бывает и цветовая маркировка. Пластмассовый вариант иногда обозначается зелёной меткой на боку корпуса, а конкретный тип прибора уже указывается на торце корпуса маркировочной меткой следующего цвета:
| КТ3102АМ | — тёмно-красная |
| КТ3102БМ | — жёлтая |
| КТ3102ВМ | — тёмно-зелёная |
| КТ3102ГМ | — голубая |
| КТ3102ДМ | — синяя |
| КТ3102ЕМ | — белая |
Все значения параметров, указанные далее для транзисторов КТ3102(А-Е) справедливы для соответствующих параметров транзисторов КТ3102(АМ-ЕМ).
Характеристики транзистора КТ3102
| Транзистор | Uкбо(и),В | Uкэо(и), В | Iкmax(и), мА | Pкmax(т), мВт | h21э | fгр., МГц |
| КТ3102А | 50 | 50 | 100(200) | 250 | 100-200 | >150 |
| КТ3102АМ | 50 | 50 | 100(200) | 250 | 100-200 | >150 |
| КТ3102Б | 50 | 50 | 100(200) | 250 | 200-500 | >150 |
| КТ3102БМ | 50 | 50 | 100(200) | 250 | 200-500 | >150 |
| КТ3102В | 30 | 30 | 100(200) | 250 | 200-500 | >150 |
| КТ3102ВМ | 30 | 30 | 100(200) | 250 | 200-500 | >150 |
| КТ3102Г | 20 | 20 | 100(200) | 250 | 400-1000 | >150 |
| КТ3102ГМ | 20 | 20 | 100(200) | 250 | 400-1000 | >150 |
| КТ3102Д | 30 | 30 | 100(200) | 250 | 200-500 | >150 |
| КТ3102ДМ | 30 | 30 | 100(200) | 250 | 200-500 | >150 |
| КТ3102Е | 20 | 20 | 100(200) | 250 | 400-1000 | >150 |
| КТ3102ЕМ | 20 | 20 | 100(200) | 250 | 400-1000 | >150 |
| КТ3102Ж | 20 | 20 | 100(200) | 250 | 100-250 | >150 |
| КТ3102ЖМ | 20 | 20 | 100(200) | 250 | 100-250 | >150 |
Uкбо(и)
— Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо(и)
— Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax(и)
— Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора
Pкmax(т)
— Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)
h21э
— Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
fгр
— граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
DataSheet
Цоколевка транзисторов КТ3102 (слева) и КТ3102М, КТ3102-2 (справа)
Описание
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n решительные высокочастотные маломощные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для применения в усилительных и генераторных схемах высокой частоты, являются комплементарными транзисторами КТ3107А — КТ3107Л. Выпускаются в металлостеклянном или пластиковом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Масса транзистора не более 0,5 г.Параметры транзисторов КТ3102 и КТ3102М
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ3102А | BF291, 2SC302, BCY56, BC407 *1 , BCW31R *1, 40637 *1 | |||
| КТ3102Б | BCW72R *1, BCW32R *1 | ||||
| КТ3102В | 2SC105, SE4022 *3, BFY18 *2, BFY17 *2, BSX76, 2SC55, ВС408 *1, ВС409 *1, 2SC238, 2SC1216 *2 | ||||
| КТ3102Г | |||||
| КТ3102Д | 2SC105, SE4022 *3, BFY18 *2, BFY17 *2, BSX76, 2 SC55, ВС408 *1, ВС409 *1, 2SC238, 2SC1216 *2 | ||||
| КТ3102Е | |||||
| КТ3102Ж | |||||
| КТ3102И | |||||
| КТ3102К | |||||
| КТ3102А(М) | ВС107АР, BC3I7 (ВС 182А), ВС317А, ТВС547, NTE2369, JC547, BCW71 *1, 2SC382TM *2, ECG2418, 2SC3653, 2SC945L, 2SC3654, ВС550,2SC3655, ECG2359, 2SC3656, ВС549А | ||||
| КТ3102Б(М) | ВС107ВР, ВСЗ18 (ВС 182В), 2SC945P, 2SC945Q, ТВС547А, JC547A, BCW72R *1, ВС317В, ВС317, ВС550В, ВС560 *2, ВС414, ВС414В | ||||
| КТ3102В(М) | ВС108АР, 2SC1815 (ВС183В), ВС123 *2, ВС549В, BF254-4, 2SC4922GA *1, ТВС548А, ТВС548, JC548A, ITT9014CU, ITT9014C, 2SC388A-TM *2, 2SC1359, ВС409 | ||||
| КТ3102Г(М) | ВС108СР (BCY57) | ||||
| КТ3102Д(М) | ВС184А, 2N2484 (ВС452, ВС547А), ВС123 *2, ВС549В, BF254-4, 2SC4922GA *1, ТВС548А, ТВС548, JC548A, ITT9014CU, ITT9014C, 2SC388A-TM *2, 2SC1359, ВС409 | ||||
| КТ3102Е(М) | ВС109СР, ВС547В (ВС538, ВС548В) | ||||
| КТ3102Ж(М) | 2N4123 (ВС183А, ВС549С) | ||||
| КТ3102И(М) | BCY65 (2N4123) | ||||
| КТ3102К(М) | ВС452 (2N4124, ВС548В) | ||||
| Структура | — | n-p-n | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | — | — | 250 | мВт |
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ3102А(М) | — | ≥150 | МГц |
| КТ3102Б(М) | — | ≥150 | |||
| КТ3102В(М) | — | ≥150 | |||
| КТ3102Г(М) | — | ≥300 | |||
| КТ3102Д(М) | — | ≥150 | |||
| КТ3102Е(М) | — | ≥300 | |||
| КТ3102Ж(М) | — | ≥200 | |||
| КТ3102И(М) | — | ≥200 | |||
| КТ3102К(М) | ≥200 | ||||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ3102А(М) | — | 50 | В |
| КТ3102Б(М) | — | 50 | |||
| КТ3102В(М) | — | 50(30) | |||
| КТ3102Г(М) | — | 20 | |||
| КТ3102Д(М) | — | 30(50) | |||
| КТ3102Е(М) | — | 20 | |||
| КТ3102Ж(М) | — | 50 | |||
| КТ3102И(М) | — | 50 | |||
| КТ3102К(М) | — | 30 | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ3102А(М) | — | 5 | В |
| КТ3102Б(М) | — | 5 | |||
| КТ3102В(М) | — | 5 | |||
| КТ3102Г(М) | — | 5 | |||
| КТ3102Д(М) | — | 5 | |||
| КТ3102Е(М) | — | 5 | |||
| КТ3102Ж(М) | — | 5 | |||
| КТ3102И(М) | — | 5 | |||
| КТ3102К(М) | — | 5 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ3102А(М) | — | 100(200*) | мА |
| КТ3102Б(М) | — | 100(200*) | |||
| КТ3102В(М) | — | 100(200*) | |||
| КТ3102Г(М) | — | 100(200*) | |||
| КТ3102Д(М) | — | 100(200*) | |||
| КТ3102Е(М) | — | 100(200*) | |||
| КТ3102Ж(М) | — | 100(200*) | |||
| КТ3102И(М) | — | 100(200*) | |||
| КТ3102К(М) | — | 100(200*) | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ3102А(М) | 50 В | ≤0.05 | мкА |
| КТ3102Б(М) | 50 В | ≤0.05 | |||
| КТ3102В(М) | 30 В | ≤0.015 | |||
| КТ3102Г(М) | 20(30) В | ≤0.015 | |||
| КТ3102Д(М) | 30 В | ≤0.015 | |||
| КТ3102Е(М) | 20(30) В | ≤0.015 | |||
| КТ3102Ж(М) | 50 В | ≤0.05 | |||
| КТ3102И(М) | 50 В | ≤0.05 | |||
| КТ3102К(М) | 30 В | ≤0.015 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ3102А (М) | 5 В; 2 мА | 100…200 | |
| КТ3102Б(М) | 5 В; 1(2) мА | 200…500 | |||
| КТ3102В(М) | 5 В; 2 мА | 200…500 | |||
| КТ3102Г(М) | 5 В; 2 мА | 400…1000 | |||
| КТ3102Д(М) | 5 В; 2 мА | 200…500 | |||
| КТ3102Е(М) | 5 В; 2 мА | 400…1000 | |||
| КТ3102Ж(М) | 5 В; 2 мА | 100…250 | |||
| КТ3102И(М) | 5 В; 2 мА | 200…500 | |||
| КТ3102К(М) | 5 В; 2 мА | 200…500 | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ3102А(М) | 5 В | ≤6 | пФ |
| КТ3102Б(М) | 5 В | ≤6 | |||
| КТ3102В(М) | 5 В | ≤6 | |||
| КТ3102Г(М) | 5 В | ≤6 | |||
| КТ3102Д(М) | 5 В | ≤6 | |||
| КТ3102Е(М) | 5 В | ≤6 | |||
| КТ3102Ж(М) | 5 В | ≤6 | |||
| КТ3102И(М) | 5 В | ≤6 | |||
| КТ3102К(М) | 5 В | ≤6 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас | КТ3102А(М) | — | — | Ом |
| КТ3102Б(М) | — | — | |||
| КТ3102В(М) | — | — | |||
| КТ3102Г(М) | — | — | |||
| КТ3102Д(М) | — | — | |||
| КТ3102Е(М) | — | — | |||
| КТ3102Ж(М) | — | — | |||
| КТ3102И(М) | — | — | |||
| КТ3102К(М) | — | — | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, Pвых | КТ3102А(М) | 1 кГц | ≤10 | Дб, Ом, Вт |
| КТ3102Б(М) | 1 кГц | ≤10 | |||
| КТ3102В(М) | 1 кГц | ≤10 | |||
| КТ3102Г(М) | 1 кГц | ≤10 | |||
| КТ3102Д(М) | 1 кГц | ≤4 | |||
| КТ3102Е(М) | 1 кГц | ≤4 | |||
| КТ3102Ж(М) | — | — | |||
| КТ3102И(М) | — | — | |||
| КТ3102К(М) | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ3102А(М) | — | ≤100 | пс |
| КТ3102Б(М) | — | ≤100 | |||
| КТ3102В(М) | — | ≤100 | |||
| КТ3102Г(М) | — | ≤100 | |||
| КТ3102Д(М) | — | ≤100 | |||
| КТ3102Е(М) | — | ≤100 | |||
| КТ3102Ж(М) | — | ≤100 | |||
| КТ3102И(М) | — | ≤100 | |||
| КТ3102К(М) | — | ≤100 |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональна замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональна замена, тип корпуса отличается.
| Входные характеристики | Зависимость напряжения насыщения от коэффициента насыщения |
| Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера | Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера |
Параметры транзистора КТ3102-2
| Параметр | Обозначение | Условия | Значение | Ед. изм. | |
| Структура | Маркировка | — | n-p-n | ||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | — | — | 250 | мВт |
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ3102А2 | — | ≥200 | МГц |
| КТ3102Б2 | — | ≥200 | |||
| КТ3102В2 | — | ≥200 | |||
| КТ3102Г2 | — | ≥200 | |||
| КТ3102Д2 | — | ≥200 | |||
| КТ3102Е2 | — | ≥300 | |||
| КТ3102Ж2 | — | ≥200 | |||
| КТ3102И2 | — | ≥200 | |||
| КТ3102К2 | ≥200 | ||||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ3102А2 | — | 50 | В |
| КТ3102Б2 | — | 50 | |||
| КТ3102В2 | — | 30 | |||
| КТ3102Г2 | — | 20 | |||
| КТ3102Д2 | — | 30 | |||
| КТ3102Е2 | — | 20 | |||
| КТ3102Ж2 | — | 50 | |||
| КТ3102И2 | — | 50 | |||
| КТ3102К2 | — | 30 | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ3102А2 | — | 5 | В |
| КТ3102Б2 | — | 5 | |||
| КТ3102В2 | — | 5 | |||
| КТ3102Г2 | — | 5 | |||
| КТ3102Д2 | — | 5 | |||
| КТ3102Е2 | — | 5 | |||
| КТ3102Ж2 | — | 5 | |||
| КТ3102И2 | — | 5 | |||
| КТ3102К2 | — | 5 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ3102А2 | — | 200 | мА |
| КТ3102Б2 | — | 200 | |||
| КТ3102В2 | — | 200 | |||
| КТ3102Г2 | — | 200 | |||
| КТ3102Д2 | — | 200 | |||
| КТ3102Е2 | — | 200 | |||
| КТ3102Ж2 | — | 200 | |||
| КТ3102И2 | — | 200 | |||
| КТ3102К2 | — | 200 | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ3102А2 | — | — | мкА |
| КТ3102Б2 | — | — | |||
| КТ3102В2 | — | — | |||
| КТ3102Г2 | — | — | |||
| КТ3102Д2 | — | — | |||
| КТ3102Е2 | — | — | |||
| КТ3102Ж2 | — | — | |||
| КТ3102И2 | — | — | |||
| КТ3102К2 | — | — | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ3102А2 | — | 100…200 | |
| КТ3102Б2 | — | 200…500 | |||
| КТ3102В2 | — | 200…500 | |||
| КТ3102Г2 | — | 400…500 | |||
| КТ3102Д2 | — | 200…500 | |||
| КТ3102Е2 | — | 400…1000 | |||
| КТ3102Ж2 | — | 100…250 | |||
| КТ3102И2 | — | 200…500 | |||
| КТ3102К2 | — | 200…500 | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ3102А2 | — | — | пФ |
| КТ3102Б2 | — | — | |||
| КТ3102В2 | — | — | |||
| КТ3102Г2 | — | — | |||
| КТ3102Д2 | — | — | |||
| КТ3102Е2 | — | — | |||
| КТ3102Ж2 | — | — | |||
| КТ3102И2 | — | — | |||
| КТ3102К2 | — | — | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас | КТ3102А2 | — | — | Ом |
| КТ3102Б2 | — | — | |||
| КТ3102В2 | — | — | |||
| КТ3102Г2 | — | — | |||
| КТ3102Д2 | — | — | |||
| КТ3102Е2 | — | — | |||
| КТ3102Ж2 | — | — | |||
| КТ3102И2 | — | — | |||
| КТ3102К2 | — | — | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, Pвых | КТ3102А2 | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ3102Б2 | — | — | |||
| КТ3102В2 | — | — | |||
| КТ3102Г2 | — | — | |||
| КТ3102Д2 | — | — | |||
| КТ3102Е2 | — | — | |||
| КТ3102Ж2 | — | — | |||
| КТ3102И2 | — | — | |||
| КТ3102К2 | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ3102А2 | — | — | пс |
| КТ3102Б2 | — | — | |||
| КТ3102В2 | — | — | |||
| КТ3102Г2 | — | — | |||
| КТ3102Д2 | — | — | |||
| КТ3102Е2 | — | — | |||
| КТ3102Ж2 | — | — | |||
| КТ3102И2 | — | — | |||
| КТ3102К2 | — | — | |||
Цветовая и кодовая маркировка транзисторов
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Аналоги транзистора КТ3102
КТ3102А
: 2N4123, BC547A, BC548A, BCY59-VII, BCY65-VII, BC107AP, BC182A, BC183A, BC237A, BC317, BC238A, MPS3709
КТ3102Б
: 2N2483, 2SC538A, 2SC828A, BC452, BC547B, BCY56, BCY59-VIII, BCY59-IX, BCY65-VIII, BCY65-IX, BCY79, MPSA09, 2SC1000GTM, 2SC1815, BC182B, BC182C, BC183B, BC237B, BC318, BC382B, SF132E, BC183C, PN2484
КТ3102В
: 2SC828, BC548B, MPS3708, MPS3710, 2N3711, 2SC454B, 2SC454C, 2SC454D, 2SC458, 2SC458KB, 2SC458KC, 2SC458KD, BC108AP, BC238B, BC451, SF131E
КТ3102Г
: 2SC538, 2SC900, 2SC923, BC547C, BC548C, MPS3711, MPS6571, BC108CP, BC238C, BC382C, SF131F, SF132F
КТ3102Д
: 2N2484, 2N5209, 2SC945, BC453, BC521, BC521C, BC549A, BC549B, BCY59-х, MPS3707, MPS6512, MPS6513, MPS6514, MPS6515, 2N4124, 2SC458LGB, 2SC458LGC, 2SC458LGD, BC109BP, BC184A, BC239B, BC383B, BC384B
КТ3102Е
: 2N5210, BC549C, BCY57, BC109CP, BC184B, BC239C, BC319, BC383C, BC384C, BFх65
Техническое описание
Транзистор выпускается с гибкими выводами в пластмассовом корпусе КТ-26 (ТО-92), либо в металлостеклянном корпусе КТ-17. Цоколевка выводов кт3102 следующая: 1 – эмиттер, 2 – база, 3 –коллектор.
Характеристики
Все нижеуказанные характеристики для транзисторов в пластиковом корпусе КТ3102 (А-Л) идентичны соответствующим параметрам в металлостекленном (АМ- ЛМ).
- принцип действия – биполярный;
- корпус: пластик для КТ26 (ТО-92); металлостеклянный у КТ-17;
- материал – кремний (Si);
- npn-проводимость (обратная);
предельно допустимые электрические эксплуатационные данные (при температуре окружающей среды от +25 °C):
При превышении рабочей температуры окружающей среды (Tокр.) более +25 °C максимально допустимая мощность рассчитывается по формуле PK макс = (150-Tокр °C)/ 0,4 °C, мВт.
основные электрические параметры:
- IКБО (ICBO) не более 50 нА (nA), при UКБ макс. (VCB max) = 50 В (V) и IЭ (IE)=0;
- IЭБО (IEBO) не более 10 мкА (µA), при UEБ макс. (VEB max ) = 5 В (V);
- fгр норм.(ftTYP) от 100 до 300 МГц (MHz), при UКб (VCB) = 5 В (V), IЭ (IE)= 10 мА (mA);
- емкость коллекторного перехода СК (СС) 6 пФ (pF) при UКБ (VCB) = 5 В (V), f= 10 МГц (MHz);
- коэффициент шума КШ (Noise Figure) NF от 4 до 10 Дб (dB), при UКЭ(VCE) =5 В (V), IK (Ic) = 0.2 мА (mA);
- cтатический коэффициент усиления по току h21E находится в диапазоне от 100 до 1000, при UКЭ(VCE) =5 В (V), IK (Ic) = 2 мА (mA), f=50 Гц(Hz).
- тепловое сопротивление переход- среда 0,4 °C/мВт (°C/mW);
- Токр от -40 до +85 °C.
При выборе транзистора обратите внимание на дату выпуска и его предельно допустимые напряжения и токи, определите возможность его использования в схеме. Более новые модели имеют преимущества перед старыми, так как производители непрерывно работают над улучшением характеристик в своих продуктах. Не стоит забывать, что у некоторых из них (например КТ3102Г, КТ3102Е) предельные значения по напряжению не превышают 20 В. Ниже приведена классификация КТ3102.
По мнению радиолюбителей, несмотря на идентичность характеристик заявленных производителем, транзистор в пластиковом корпусе немного уступает металлостеклянному. Так, при работе на предельно допустимых параметрах, пластик расширяется и сжимается, что нередко приводит к отрыву выводов от кристалла. Это основная причина, из за которой стоит подумать о применении устройства в пластиковом корпусе. Кроме того пластик иногда становится не герметичен и вдоль выводов к кристаллу может проникать влага. Считают, что в металлопластиковом корпусе кристалл рассеивает большую мощность. Так же у него будет меньшее тепловое сопротивление, а следовательно устройство будет меньше греться и в свою очередь схема будет работать более стабильней.
Аналоги
Зарубежными аналогами, с похожими техническими характеристиками считаются: BC 174, 2S A2785, BC 182, BC 546, BC 547, BC 548, BC 549. Прототипами для разработки некоторых серий КТ3102 были: BC 307A, BC 308A BC 308B, BC 309B, BC 307B, BC 308C, BC 309C. Из российских аналогов КТ-3102, в качестве замены может подойти КТ 611 или популярный КТ315 с группой Б, Г, Е.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для него является транзистор с PNP-проводимостью KT3107.
Маркировка
Транзисторы маркируются на боковой стороне корпуса. КТ3102 разных годов выпуска могут встречается с различной маркировкой. До 1995 года производители использовали цветовую и кодовую (буквенно-цифровая и символьно-цветовая) маркировку. Советские транзисторы КТ3102 до 1986 года, изготовленные в корпусе КТ-26, можно узнать по темно-зеленой точке на передней части корпуса. По цвету точки, нанесенной на корпусе сверху, определить принадлежность транзистора конкретной к группе. Дата выпуска при цветовой обозначении могла не указываться.
Маркировать транзистор кт3102 с использованием стандартного метода начали с 1986 года. Согласно кодовой метки он узнаваем по белой фигуре прямоугольного треугольника, размещенного на передней части корпуса (слева сверху), обозначающему его тип (модель). Правее указывается групповая принадлежность, а в нижней части год и месяц даты выпуска. В стандартной кодовой маркировке так же указывался год и месяц выпуска транзистора.
Иногда встречается нестандартные цветовые и кодовые маркировки. Как правило, в них не хватает информации о дате выпуска или групповой принадлежности. Современные производители, уже не используют фигуры в обозначении, а указывают на корпусе полное название типа и группы транзистора. Кроме этого на корпусе можно увидеть знак, указывающий на производителя устройства.
Техническое описание
Транзистор выпускается с гибкими выводами в пластмассовом корпусе КТ-26 (ТО-92), либо в металлостеклянном корпусе КТ-17. Цоколевка выводов кт3102 следующая: 1 – эмиттер, 2 – база, 3 –коллектор.
Характеристики
Все нижеуказанные характеристики для транзисторов в пластиковом корпусе КТ3102 (А-Л) идентичны соответствующим параметрам в металлостекленном (АМ- ЛМ).
- принцип действия – биполярный;
- корпус: пластик для КТ26 (ТО-92); металлостеклянный у КТ-17;
- материал – кремний (Si);
- npn-проводимость (обратная);
предельно допустимые электрические эксплуатационные данные (при температуре окружающей среды от +25 °C):
При превышении рабочей температуры окружающей среды (Tокр.) более +25 °C максимально допустимая мощность рассчитывается по формуле PK макс = (150-Tокр °C)/ 0,4 °C, мВт.
основные электрические параметры:
- IКБО (ICBO) не более 50 нА (nA), при UКБ макс. (VCB max) = 50 В (V) и IЭ (IE)=0;
- IЭБО (IEBO) не более 10 мкА (µA), при UEБ макс. (VEB max ) = 5 В (V);
- fгр норм.(ftTYP) от 100 до 300 МГц (MHz), при UКб (VCB) = 5 В (V), IЭ (IE)= 10 мА (mA);
- емкость коллекторного перехода СК (СС) 6 пФ (pF) при UКБ (VCB) = 5 В (V), f= 10 МГц (MHz);
- коэффициент шума КШ (Noise Figure) NF от 4 до 10 Дб (dB), при UКЭ(VCE) =5 В (V), IK (Ic) = 0.2 мА (mA);
- cтатический коэффициент усиления по току h21E находится в диапазоне от 100 до 1000, при UКЭ(VCE) =5 В (V), IK (Ic) = 2 мА (mA), f=50 Гц(Hz).
- тепловое сопротивление переход- среда 0,4 °C/мВт (°C/mW);
- Токр от -40 до +85 °C.
При выборе транзистора обратите внимание на дату выпуска и его предельно допустимые напряжения и токи, определите возможность его использования в схеме. Более новые модели имеют преимущества перед старыми, так как производители непрерывно работают над улучшением характеристик в своих продуктах. Не стоит забывать, что у некоторых из них (например КТ3102Г, КТ3102Е) предельные значения по напряжению не превышают 20 В. Ниже приведена классификация КТ3102.
По мнению радиолюбителей, несмотря на идентичность характеристик заявленных производителем, транзистор в пластиковом корпусе немного уступает металлостеклянному. Так, при работе на предельно допустимых параметрах, пластик расширяется и сжимается, что нередко приводит к отрыву выводов от кристалла. Это основная причина, из за которой стоит подумать о применении устройства в пластиковом корпусе. Кроме того пластик иногда становится не герметичен и вдоль выводов к кристаллу может проникать влага. Считают, что в металлопластиковом корпусе кристалл рассеивает большую мощность. Так же у него будет меньшее тепловое сопротивление, а следовательно устройство будет меньше греться и в свою очередь схема будет работать более стабильней.
Аналоги
Зарубежными аналогами, с похожими техническими характеристиками считаются: BC 174, 2S A2785, BC 182, BC 546, BC 547, BC 548, BC 549. Прототипами для разработки некоторых серий КТ3102 были: BC 307A, BC 308A BC 308B, BC 309B, BC 307B, BC 308C, BC 309C. Из российских аналогов КТ-3102, в качестве замены может подойти КТ 611 или популярный КТ315 с группой Б, Г, Е.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для него является транзистор с PNP-проводимостью KT3107.
Маркировка
Транзисторы маркируются на боковой стороне корпуса. КТ3102 разных годов выпуска могут встречается с различной маркировкой. До 1995 года производители использовали цветовую и кодовую (буквенно-цифровая и символьно-цветовая) маркировку. Советские транзисторы КТ3102 до 1986 года, изготовленные в корпусе КТ-26, можно узнать по темно-зеленой точке на передней части корпуса. По цвету точки, нанесенной на корпусе сверху, определить принадлежность транзистора конкретной к группе. Дата выпуска при цветовой обозначении могла не указываться.
Маркировать транзистор кт3102 с использованием стандартного метода начали с 1986 года. Согласно кодовой метки он узнаваем по белой фигуре прямоугольного треугольника, размещенного на передней части корпуса (слева сверху), обозначающему его тип (модель). Правее указывается групповая принадлежность, а в нижней части год и месяц даты выпуска. В стандартной кодовой маркировке так же указывался год и месяц выпуска транзистора.
